т. (057) 705-26-36
8 (067) 43-62-833
 sebesk@infmed.kharkov.ua

Вопросы медицинской элементологии
г. Харьков

Резонансное наложение инфразвуков на собственные колебания материальных объектов может привести к их разрушению. Так, сообщалось, что при включении генератора звука с частотой 3,5 Гц и мощностью 100 Вт стены лаборатории угрожающе затряслись, потолок покрылся трещинами, и опыт пришлось прекратить.
На основе SiO2 готовится важный огнеупорный материал — динас. Его получают обжигом при 1300—1400 С измельчённого кварца, к которому добавлено 2—2,5% извести. Динасовый кирпич размягчается лишь около 1700 С и служит, в частности, для выкладки сводов мартеновских печей.
Известен также оксид кремния(II). В природе он не встречается, но может быть получен по реакции:
SiO2 + Si = 2 SiO.
Под обычным давлением возгонка монооксида кремния начинается около 1200 С (когда сами исходные вещества ещё практически не испаряются). В парах SiO является индивидуальным соединением. Энергия диссоциации на элементы 789 кДж/моль. Перевод его в твёрдое состояние может быть осуществлён только быстрым охлаждением (“закалкой”) газовой фазы. В противном случае успевает пройти дисмутация по уравнению:
2 SiO = SiO2 + Si.
Получающаяся твёрдая фаза представляет собой чрезвычайно мелкий коричневый порошок. Монооксид кремния медленно окисляется кислородом воздуха и легко растворяется в щелочах с образованием солей кремневой кислоты и выделением водорода. Он легко электризуется от трения, приобретая сильный отрицательный заряд.
Нитрид кремния (Si3N4). Прямой синтез происходит лишь выше 1300 С, но сопровождается значительным выделением тепла (748 кДж/моль). Нитрид кремния представляет собой лёгкий белый порошок, около 1900 С возгоняющийся. Он известен в двух кристаллических формах [d(SiN) = 172—175 пм] и очень устойчив по отношению к различным химическим воздействиям. Так, расплавленные щёлочи медленно растворяют его по схеме:
Si3N4 + 12 NaOH = 3 Na4SiO4 + 4 NH3,
но раствор NaOH не действует даже при кипячении. До 1000 С нитрид кремния не реагирует ни с О2, ни с Н2, ни с водяным паром. Горячая концентрированная плавиковая кислота разлагает его по схеме:
Si3N4 + 16 HF = 2 (NH4)2SiF6 + SiF4
лишь крайне медленно, а концентрированная НСI вообще не действует. Под высоким давлением в атмосфере азота нитрид кремния хорошо прессуется и спекается (при 1500 С). Около 1000 С он приобретает полупроводниковые свойства.
Сообщалось о получении (довольно сложным косвенным путём) и другого нитрида кремния — Si2N2, который представляет собой белый рентгеноаморфный порошок, при нагревании выше 1200 С переходящий в Si3N4. Взаимодействием SiCl4 с жидким аммиаком был получен полимерный имид кремния — [Si(NH)2]n.
Нагреванием Si и SiO2 в атмосфере азота при 1450 С был получен оксонитрид Si2N2O, простейшей формуле которого отвечает строение O(SiN)2.
Жёлто-коричневый фосфид кремния может быть получен взаимодействием элементов (выше 700 С). Это игольчатые кристаллы с красным металлическим блеском, отвечающие формуле SiP. Синтезом из элементов был получен и чёрный SiP2.

Список рефератов
Листать страницы: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19

Скорая компьютерная помощь: скорая компьютерная помощь королев. Низкие цены!

The Resonance imposition инфразвуков on own fluctuations material object can bring about their destruction. So, communicated that when enabling the generator of the sound with frequency 3,5 Hz and power 100 Vt wall of the laboratory threatening затряслись, ceiling was covered rift, and experience happened to to stop.
The important refractory material prepares On base SiO2 динас. His(its) get the обжигом under 1300 1400 ?With reduced quartz, to which is added 2 2,5% lime. Dinasovyy brick is softened only beside 1700 ?С and serves, in particular, for выкладки code open-hearth furnaces.
The Known also oxides silicon(II). In nature he does not meet, but can be received on reactions:
SiO2 + Si = 2 SiO.
Under usual pressure sublimation монооксида silicon begins beside 1200 ?With (when source material themselves else practically are not vaporized). An individual join is In vapour(pair) SiO. The Energy диссоциации on elements 789 кДж/moth. The Translation him(it) in solid state can be realized only by quick cooling ( закалкой ) of the gas phase. Otherwise haves time to to pass дисмутация on equation:
2 SiO = SiO2 + Si.
The Getting hard phase presents itself exceedingly small brown powder. Monooksid silicon slowly acidifies the oxygen of the air and easy opens in alkali with forming the salts of the flint acid and separation of the hydrogen. He is easy electrified from friction, gaining strong negative charge.
Nitrid silicon (Si3N4). The Direct syntheses occurs only above 1300 ?С, but is accompanied the significant separation of the heat (748 кДж/moth). Nitrid silicon presents itself light white powder, beside 1900 ?With sublimating. He known in two crystalline forms [d(SiN) = 172 175 pm] and much устойчив to different chemical influence. So, melted alkali slowly dissolve him(it) on scheme:
Si3N4 + 12 NaOH = 3 Na4SiO4 + 4 NH3,
but solution NaOH does not act even at boiling. Before 1000 ?With нитрид silicon does not neither with O2, nor with N2, nor with water ferry. Hot concentrated hydrofluoric acid degrades him(it) on scheme:
Si3N4 + 16 HF = 2 (NH4)2SiF6 + SiF4
only extremely slowly, but concentrated by NSI in general does not act. Under high pressure in atmosphere of the nitrogen нитрид silicon is well pressed and cakes (under 1500 ?With). Beside 1000 ?With he gains the semiconductor characteristic.
Communicated about reception (rather complex indirect way) and the other нитрида silicon Si2N2, which presents itself white рентгеноаморфный powder, when heating above 1200 ?With transitory in Si3N4. The Interaction SiCl4 with fluid ammonia was received polymeric имид silicon [Si(NH)2]n.
Heating Si and SiO2 in atmosphere of the nitrogen under 1450 ?With was received оксонитрид Si2N2O, which the most simplest formula answers the construction O(SiN)2.
Yellow-brown фосфид silicon can be received interaction element (above 700 ?With). This is an игольчатые crystals with red metallic briliance, answerring formula SiP. The Syntheses from element was received and black SiP2.

   Исследование элементного статуса по методу профессора А.В.Скального можно осуществить в медицинском центре "Союз":

    Медицинский центр "Союз", г. Харьков, ул. Сумская, 17.   Лиц. МОЗУ №2237-ЮР
   тел. (057) 705-26-36, моб. тел. 8(067) 436-28-33